방울토마토 재배.

방울토마토 재배

Ⅰ. 재배기술편 1. 정식준비와 정식   재배 하우스 토양은 미리 토양소독을 한다. 시비는 표 1에 나타낸 것에 전면과 도랑부분의 2단구상으로 깊게, 폭넓게 시비한다.  시비설계를 할 때는 토마토 근군의 신장과 활동을 촉진하기 위해 피트모스와 완효성 비료를 중심으로 기비중심으로 하는 것이 좋다. 표 1. 방울토마토의 시비예 (10∼15단 재배에서의 10a당 기준) 비 료 총 량 밑거름 웃거름 비 고 1회 2회 3회 4회 퇴 비 계 분 요 소 용 인 염 가 석회 붕사 2,500 200 1,051 104 29 80~100 2~3 2,500 200 21 104 12 80~100 2~3 . . 8 . 4 . . . . 8 . 5 . . . . 9 . 4 . . . . 6 . 4 . . 3요소 성분량 질소-32KG 인산-25KG 칼리-28KG 시비 시기   정식하기 15~20일전 정식후 25~30일 1차추비후20~25일 2차추비후20~25일 3차추비후20~25일     시비방법은 정식상을 중심으로 도랑을 깊게 파고, 표층보다 심층부근에 시비량이 많도록 시비한다. 시비후 정식상은 그림 1의 모양에 지하수위에 의하여 수분조절하여 지하수위로 부터 상부의 경토가 60㎝이상 되는 곳에 높은 재배상으로 한다. 또한 지하수위가 높은 장소는 지하수위부터 최저 60㎝의 경토를 확보하기 위해서는 높은 이랑(재배상을 올리기)도 한다. 그림 1. 지하수위와 이랑 만드는 방법     정식은 8엽기내외의 토마토묘를 심는다. 정식방법은 가능한한 하우스내를 효율적으로 활용하는 방법을 연구한다. 토마토의 모목에 광선이 충분히 미치도록 하는 것이 필요하며, 특히 방울토마토는 식미와 품질을 높이도록 연구한다.   이런 점에서 정식 방법은 그림 2의 모양으로 외줄심기에 적용한다. 2줄심기에서는 이랑의 줄사이를 넓게 한다. 그림 2. 외줄심기에 의한 방법 외줄심기에 있어서의 이랑사이와 포기사이 및 재식본수 2. 시비의 방법 토마토재배의 시비의 좋고 나쁨은 지상부의 생육을 크게 좌우한다. 가능한한 조심히 행하고, 그림 4의 형태로 시비를 한다. 이런 형태 시비의 발란스는 토마토의 생육초기의 과번무를 억제하고, 중후기의 생육과 과일의 비대를 높이는 것에 지극히 유효하다. 그림 3. 전면살포 플러스 도랑 시비에 있어서의 시비의 발란스 구체적인 시비방법의 하나는 그림 3에 나타난 깊이갈이에 의하여 행한다. 이랑의 표면에 살포하여 비료를 깊이 60㎝에 까지 파묻는다. 전진 파기에서 왕복하여 폭이 80∼100㎝의 식상이 되도록 올린다. 다음 방법은 그림 4에 표시한 것과 같이 전면살포 플러스 도랑시비이다. 이 방법으로 시비하는 것이 무엇보다도 이상에 가까운 상태로 이루어져 약간의 노력을 많이 필요로 한다. 특히 주의 할 작업은 살포하는 비료의 혼입방법에 있다. 기본적으로는 그림 5에 나타난 순서로 작업하는 것이 좋다. 그림 4. 깊이갈이에 의한 깊은 도랑시비법 그림 5. 경운기나 트랙터를 이용한 도랑시비법 그림 6. 비료와 토양의 혼합방법, 붕괴방법 3. 관수와 추비   관수는 정식직후 경엽이 시들지 않게 최대한으로 보살펴 근군의 발달을 촉진한다. 필요한 때에 최소한으로 결정하여 관수를 한다.   제3화방 개화기까지도 관수는 약하게 하며, 제3화방의 개화기부터 처음으로 관수를 시작한다. 관수 파이프는 그림 7의 형태로 포기 근처로 배치하며, 항상 근군의 관수효과를 높이려는 노력을 한다. 이랑사이와 통로 등의 배관은 시기적으로 충분한 수분을 주는 경우도 있다. 생육성기의 관수는 제 3화방 개화기부터 제 4화방 개화기까지는 대략 깊이 40㎝까지는 침투하도록 하고, 제 6화방 개화기에는 깊이 50∼60㎝까지 관수하여 물이 침투하도록 충분히 관수한다. 그림 7. 관수 파이프의 배관  이후 생육에 따라서 관수하고, 1회의 관수로 충분히 하며, 적어도 깊이 50㎝이상까지 침투되도록 한다. 관수의 정도는 비효와 관계가 깊은 사항이므로 언제나 근군전체를 활용하여 지상부의 생육을 유지한다. 추비는 보조적인 수단이므로 관수량을 증가하여 제 4화방 개화기 이후에 생육이 전체적으로 진전되게 한다.   겨울의 관수는 지온의 저하를 초래하는 면을 생각해서 적게 하는 일이 많고, 이런것에는 근군의 활동범위도 좁게 이루어져있다. 전술한 형태로 충분히 관수하여, 지온의 유지는 가온으로 인해 지키는 것이 적절하다. 4. 생육조절   토마토의 생육조절은 많은 요인에 따라서 연구되었다. 이곳에서는 골파기 방법을 소개한다. 그림 8은 생육이 왕성한 장소에서 토마토의 포기를 중심으로 양측으로 얕은 도랑을 파서 뿌리의 활력을 억제하는 방법이다. 그림 9는 약간 왕성한 장소에서 토마토의 가지 한 쪽 측면으로 얕은 골파기를 실시하는 것이다. 비교하면 표면의 세근은 고사하도록 하고 굵은 뿌리는 심층으로 발달한다. 그 결과 열과와 배꼽썩음과의 발생도 적어진다. 그림 8. 생육초기의 생육억제방법과 도랑파기           그림 9. 도랑파기에 의한 생육조절   한편 적엽에의해 생육조절도 한다. 경엽이 과번무하게 이루어져 과일의 채광성이 저하하면 식미가 떨어진다. 적엽은 그림 10의 형태로 잎의 선단부분을 필요한 만큼 절제하여 잎면적의 확보도 신경을 쓴다. 그림 10. 적엽 방법 9. 호르몬 살포   방울토마토의 화수는 지극히 많고, 20∼50화로 이루어진다. 그러므로 1회 정도의 호르몬살포로는 전체가 처리되지 않는다. 그림 11의 형태로 개화순서대로 실시해서 한개의 화방에 수회 살포한다. 그림 11. 방울토마토의 호르몬제 살포 10. 정지법   토마토의 정지법은 여러가지가 있다. 매달아 내리는 방식(그림 12), 직립 U턴 정지(그린 13), 경사유인 정지(그림 14), 연속적심정지법(그림 15) 등이 이용된다. 그중에서도 경사유인 정지법은 방울토마토에서 가장 적당하다. 그림 12. 달아내리는 방식의 방법 그림 13. 직립 U턴 정지법 그림 14. 경사 유인 정지법 그림 15. 연속 적심 정지법 7. 온도관리   방울토마토는 큰 토마토보다 약간의 고온관리가 적당하다. 저온으로 하여도 과일의 비대가 잘 이루어지지만 과일의 신맛이 증가하여 상품성이 떨어진다. 기본적인 온도관리는 그림 16에 나타내었다. 단지 추비와 관수를 하는 것은 야온을 13∼15 로 유지하여 지온의 저하를 막고 비효를 촉진시킨다. 그림 16. 방울토마토의 온도관리 목표 8. 탄산가스 시비   식미와 영양가를 높이는 것을 요구하는 방울토마토에서는 좋은 조건하에서의 재배에 신경을 쓴다. 하우스 재배에서는 특히 그림 17의 형태로 탄산가스의 부족을 초래하기 쉽다.   일출부터 2∼3시간은 농도 1,000∼1,500ppm에서 유지하는 것이 효과적이다. 액화 탄산가스와 순도를 높인  油(백등유)의 이용이 편리하다. 그림 17. 시설내 탄산가스 농도의 변이